ST MOSFET 重磅推荐
意法半导体 (ST) 的 MOSFET 配资 采用先进的封装,具有很宽的击穿电压范围 (-500 ~ 1500 V)、低栅极电荷和低导通电阻。意法半导体面向高、低压 MOSFET 的制程增强了功率处理能力,从而实现了高效解决方案。
 
配资 的主要特性包括:
击穿电压范围:-500 ~ 1500 V
提供 30 多种封装选项,包括带有专用控制引脚、能够提高开关效率的新型 4 引脚 TO247-4 封装 和1-mm 表贴封装 PowerFLAT™ 8x8 HV、PowerFLAT 5x6 HV 及
  VHV 封装。这些表贴封装带有大片裸露金属作为漏极,使得其具有优异散热能力。
改善了栅电荷,降低了功耗,满足了当今极具挑战性的效率要求
面向所选配资 线的本征快速体二极管
   
在各个支持负载点、电信 DC-DC 转换器、PFC、开关模式电源和线上配资 设备等应用的电压范围内,意法半导体都有符合您设计要求的 MOSFET。
   
配资 分类
高压 N 沟道 MOSFET
通常可以根据导通电阻为电源管理设计选择合适的、击穿电压范围为 450 ~ 650 V 的 MOSFET,采用 Max247 封装的配资 的导通电阻低至 17 mΩ (650 V)。这些 MOSFET 设计
用于满足 SMPS、UPS、LED 照明、PV 逆变器、电机控制、焊接和线上配资 应用的各种要求。
在该额定电压下,MOSFET 具有如下特性:
面向所选配资 线的本征快速回复二极管
由于具有出色的开关特性,所以易于驱动
广泛的封装选项,包括面向小型设计的 SMD PowerFLAT 封装
栅极-源极齐纳保护
这些 MOSFET 提供了多种小型和大功率封装选项:DPAK、D2PAK、I2PAK、I2PAKFP、ISOTOP、Max247、SO8、SOT-223、TO-220、TO-220FP、TO-247、TO247-4、
TO-3PF、TO-92 和 PowerFLAT HV(3.3x3.3、5x5、5x6 和 8x8 )。
应用领域
工业电源 适配器 通信 UPS 太阳能
热推型号
配资 型号 描述 封装 购买
-100V, -5A, PNP 达林顿晶体管 TO-220-3
-100V, -6A, PNP 晶体管 TO-220-3
30V, 0.02Ω, 40A, N 沟道功率 MOSFET TO-220AB-3
60V, 0.0115Ω, 60A, N 沟道功率 MOSFET TO-220AB-3
80V, 0.008Ω, 100A, N 沟道功率 MOSFET TO-220AB-3
100V, 0.038Ω, 35A, N 沟道功率 MOSFET TO-220AB-3
100V, 0.23Ω, 2.4A, N 沟道功率 MOSFET SOT-223-4
200V, 0.10Ω, 18A, N 沟道功率 MOSFET DPAK-3
500V, 0.72Ω, 7.2A, N 沟道功率 MOSFET TO-220FP-3
600V, 1.76Ω, 4A, N 沟道功率 MOSFET DPAK-3
800V, 3.8Ω, 2.5A, N 沟道功率 MOSFET TO-220AB-3
注明:部分型号属于,请配资开户 销售人员或拨打 400-800-8051 购买。
编号说明